案例分享之DDR拓撲結構的選擇 續
2017-10-15 by:CAE仿真在線 來源:互聯網
Fly-by拓撲,驅動到各負載的延時是不同的,是離驅動近的負載信號質量好,還是遠離驅動的信號質量好,為什么?我們在學習高速設計的時候,會接觸到集總和分布的概念。剛開始并不理解,以為器件之間使用導線連接,保持連通就可以了,然而當信號變化的時間和傳輸線長在一個數量級的時候,就應該關注傳輸線效應了,這時候,同一時刻鏈路上的電壓分布會不同,就應該考慮拓撲結構對信號質量的影響。
如下圖1,對Fly-by四個顆粒的信號質量進行了仿真。其中,信號速率為800Mbps,走線阻抗為50ohm,Stub長度為100mil。
通過對比我們可以發現,盡管U1離驅動器的位置最近,但是對應的眼圖幅值最小,原因就是U1的振鈴幅度最大,造成U1振鈴幅度大的原因就是后續Stub產生的反射能量都傳回到了源端。末端因為有上拉端接,反射被抑制了很大一部分,所以信號質量較好。還有一個原因是鏈路中的stub會產生電容效應,使傳到最后的信號上升沿略微變緩,這也使得振鈴幅度變小。為了提高信號質量,可以進行容性負載補償,相關介紹可以查看高速先生前期的文章。文章鏈接如下:
http://www.edadoc.com/cn/TechnicalArticle/Show.aspx?id=892注:答案提到了近端受到多重反射的影響,以及Stub與負載的容性效應的都是滿分。對于離驅動遠的DDR顆粒信號質量最好。因為地址與控制命令信號在走Fly-by時,都需要扇出過孔到DDR顆粒,那么必然會存在Stub以及分支,則會導致阻抗不連續(后端分支阻抗變小,反射系數為負)的問題而發生反射,近端的DDR顆粒總是受到后端其它DDR反射回來的信號電壓,導致信號質量變差。所以設計時盡量主線路阻抗控制40歐姆,DDR端互連線控制60歐姆,平衡阻抗。另外就是存在ECC校驗時,也是建議放置在第一片的位置。 遠端會更好,樓上各位大神都提到反射和端接點問題我完全贊同就不再班門弄斧了,從分布電容來講,距離驅動端越遠(不考慮電氣長對驅動的影響),線條寄生電容C0會使信號上升、下降沿變緩,可以有效抑制信號的過沖問題,但是也會帶來延遲、信號失真等一系列問題,如果系統分辨率可以接受就OK,所以遠端信號會更好 Fly-by拓撲要求stub走線很短,當stub走線相對于信號邊沿變化率很短時,stub支線和負載就可以看作電容。分布式的容性負載的存在使得靠近驅動端的負載影響最大,遠離驅動端的最末端的負載影響最小,信號質量較好。 靠近驅動端時,由于受到后端的多個反射信號的影響,信號質量就變得更差。 通過讓負載stub盡可能短,并且負載走線阻抗比主線阻抗高,可以達到整條走線阻抗平衡的目的。 距離驅動遠的信號質量更好。 因為Fly-by結構中,stub會引起阻抗變低,且每個分叉都會存在阻抗不連續,信號在stub間反射,疊加后對靠近驅動端的負載上影響最大。 由于末端的端接電阻能較好地消除末端反射問題,而對于分支上的各個反射并不能完全消除。所以,離驅動端遠的負載信號相對更好。 離驅動遠的顆粒信號質量好。信號從驅動器傳輸到多個DDR,由于受Stub和阻抗不匹配的影響,存在反射現象,近端DDR總是受到其它DDR反射來的信號,導致信號質量變差。實際畫線時主線路阻抗補償,且盡量減小Stub長度。 遠離驅動的顆粒信號質量更好,遠離驅動的顆粒靠端接越近,受到反射的影響越小,同時也沒其他顆粒引起的反射疊加,信號質量應該更好一些 我們現在遇到的是國產CPU小批量量產出現內存低溫不穩定,30片有一半需要單獨調試時序參數遠端信號質量好,因為一般端接放在遠端,線路上的容性負載帶來的反射能量,在遠端得到最好的吸收,而在線路上越遠離端接電阻,被疊加的能量越多。 遠離驅動端的顆粒,信號質量更好, 因為Fly by拓撲的每一個stub引入容性負載,會導致走線阻抗變化,影響信號質量,而這種變化對靠近驅動端的顆粒影響更大! 對于地址和控制信號組來說:在控制器輸出能力強的條件下(輸出電阻低),最后一個ddr3接收到的信號質量最好,反射影響小,容易優化。越靠近主控器,反射越多,信號越復雜,越不容易優化。在控制器輸出能力弱,且接了太多顆粒時,末端的信號因獲得的能量不足,信號邊緣會過緩,點平過低,(可以調節末端vtt阻值優化一下) 離遠的質量相對好一些,因為: 1,近端會存在后邊節點多處的反射疊加,信號質量更差。 2,反射到原端的能量,在匹配不佳時,返回到近端的能量衰減最小,該反射能量與原信號疊加后信號質量更差。 遠離驅動的信號質量好。因為遠離驅動端意味著靠近端接,越靠近端接點,信號質量越好。這是因為Flyby結構中信號會由于stub的存在使信號頻譜上存在塌陷,此外stub還會使主路徑的阻抗發生變化,進而產生發射。由于以上的原因會使得最靠近驅動端的信號質量越差。在實際工程中,除了要盡量減小stub的長度之外,還需要對主路徑的阻抗做一些補償。 我是個初學者 剛學到DDR這塊 ,我覺得應該是離芯片遠 影響小 因為在信號傳輸過程中對于阻抗 串擾等 信號會慢慢變的穩定一些吧 不像剛開始那么有大的變化幅度 (1)最后一個DDR3芯片反射疊加最少,信號質量最好,但是得到的能量也最少;(2)前端的DDR3芯片反射疊加多,信號質量差,但得到的能量大。所以,在驅動能力足夠的情況下,遠端信號最好,若驅動能力不足,則遠端信號也會差 DDR的FLY-BY拓撲結構中,遠離驅動的信號質量好。越近的受到的stub反射影響越多,每個stub都向前反射。分支越短越好,靠近分支的信號會被多次反射,反射疊加,信號會比較差。信號的反射都是從遇到負載開始,分支越短,反射相對小些。除了反射,還有端接VREF,ODT,CLK,串聯電阻的位置,阻抗等多種因素都也都會影響到信號的質量的好壞。 1.從反射的角度來看,末端的ggr3顆粒信號最好,近端的ddr3顆粒會因為多重反射疊加,使得信號質量很差(當然也不能無限遠,應該在有效距離內) 2.主控到每一個ddr3顆粒的線長都不應該恰好等于通信頻率的諧振長度 遠離驅動的DDR芯片信號質量好,因為遠端更靠近Rtt,反射的影響最小。靠近驅動端時,由于受到后端的多個反射信號影響,信號質量就變得更差。 Fly-by結構遠離控制器的信號質量好,離控制器越近的那片信號質量最差。因為后面幾片的反射會疊加過來,同時,最近這片感受的容性負載也是最重的。 距離ddr近的顆粒信號差,由于發送端的信號強,反射影響大 個人認為信號近的質量好,一般遠端的信號不好都要靠VTT端接補償,所以我們的VTT端接電阻都是靠近遠端擺放。如果遠端的質量都很好的情況下,VTT端接是可以拿掉的。 如果匹配電阻在末端,遠離的比較好,如果匹配電阻在近段,修改合適的阻值后,應該近端比較好! 離驅動遠的顆粒信號質量好,由于Stub的作用,存在反射的作用,受到其他的反射信號,信號質量變得更差,因此應該盡量減少Stub的長度 離驅動近的負載信號質量好點,越遠越差,因為根據阻抗的公式,遠端的會有分布電感和電容效應,阻抗會減少,隨著傳輸線增長會有變化,導致阻抗不連續,信號質量不好在驅動能力足夠,終端負載在一定長度范圍內的情況下,遠離驅動端的信號質量要好一些,因為離驅動端越近的負載接收到該負載之后的反射越多,結果是多個負載反射的疊加到信號上面,干擾越大。 遠離驅動的信號質量好。因為 遠離驅動的信號受到的反射要少些,其過沖小些。 理想情況下,驅動源內阻R0=傳輸線特征阻抗Z0=負載內阻RL,傳輸線的阻抗是連續的,不會發生任何反射,能量一半消耗在內阻,一半能量消耗在負載。信號傳輸路徑越短,不可控阻抗情況越少,質量信號也就越好。 遠的好,最末端一個效果最好;沒有后面一級帶來的反射反射
開放分享：優質有限元技術文章,助你自學成才
相關標簽搜索：案例分享之DDR拓撲結構的選擇 續 HFSS電磁分析培訓 HFSS培訓課程 HFSS技術教程 HFSS無線電仿真 HFSS電磁場仿真 HFSS學習 HFSS視頻教程 天線基礎知識 HFSS代做 天線代做 Fluent、CFX流體分析 HFSS電磁分析
編輯
搜索
